半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
項目题材
本次目设在长三角经济区型中国某中国级半导体技术制造业绿化区,企业的常见生產8英尺和12英尺晶圆,东风日产量高于2万片。跟随生产量提拔,现有的废水办理办理系統已无非具备绿色规定要求,急求发展提升。工程项目总创业约1300万元,规划办理的能力为300吨/日,于2023年建造投产。
工业废水因素及起源
该厂家晶圆片区工步诞生的电镀废水重点包涵之下材料:
激光切的时候中使用的的抛光液残余物物,首要物质为二氧化的硅粒子、表皮活力性剂和有机物使用剂
晶圆表皮洗行成的含氟污水,氟阳离子质量浓度在80-120mg/L
极富血本属化合物如铜、镍等,从何而来于切割机器具受损
有机会石油醚残余物,收录异丙醇、二甲苯等
pH值波动性明显,基本在4-10相互之间
除理施工工艺具体流程
对於污废水 特征,构思进行"物理化学预治疗+什么是生化治疗+深入治疗"的组装的工艺:
调低池
:教育均衡发展饮用水排水量,设立pH迅雷在线探测和定时投药平台
混凝土沉淀自己
:污泥脱水PAC和PAM,清掉自动隐藏物和橡胶胶体部分有机物
气浮单位
:选择溶气气浮工艺流程进这一步取除体积小粒子和大部分有机肥料物
生物化处里
:按照MBR膜生态学症状器,工业废水有机废气浓度维护在8000-10000mg/L
广度处理
:活性酶类炭活性炭吸附+反渗透膜法技术,为了确保溢水符合标准
污泥干化治理
:板框污泥处理压滤机缺水,污泥处理含水分率高于60%如下
办理结果
装置比较稳定运作后,出水出水水源完完全全达到《电子器材工农业水造成的挥发性有机物进行摆放规范标准》(GB39731-2020)很大进行摆放标准值规定要求:
COD<30mg/L
氟化合物<5mg/L
悬浮按钮物<10mg/L
天价属哪项质量指标均远低于卫生防护距离
好项目年年可极大减少感染物的用水量上涨约COD 32吨、氟化物8.5吨,中水回用水率完成75%上述,为制造业企业节约使用煤气费开支约140万元/年。